NF ISO 17560 : 2006
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SURFACE CHEMICAL ANALYSIS - SECONDARY-ION MASS SPECTROMETRY - METHOD FOR DEPTH PROFILING OF BORON IN SILICON
12-01-2013
1 Domaine d'application
2 Référence normative
3 Symboles et termes abrégés
4 Principe
5 Matériaux de référence
6 Appareillage
7 Échantillon
8 Modes opératoires
9 Expression des résultats
10 Rapport d'essai
Annexe
Bibliographie
La présente Norme internationale spécifie une méthode de spectrométrie de masse des ions secondaires utilisant un spectromètre de masse à secteur magnétique ou quadripolaire pour le profilage en profondeur du bore dans le silicium et un profilomètre de surface à stylet ou un interféromètre optique pour l'étalonnage de l'échelle de profondeur. Cette méthode est applicable à des échantillons de silicium monocristallin, polycristallin ou amorphe dont les concentrations atomiques en bore sont comprises entre 1 x 10 16 atomes/cm[3] et 1 x 10 20 atomes/cm[3], et à des profondeurs de cratères de 50 nm ou plus.
| DevelopmentNote |
Indice de classement: X21-051 PR NF ISO 17560 February 2005 (02/2005)
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| DocumentType |
Standard
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| PublisherName |
Association Francaise de Normalisation
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| Status |
Current
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| Standards | Relationship |
| ISO 17560:2014 | Identical |
| ISO 14237:2010 | Surface chemical analysis Secondary-ion mass spectrometry Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials |
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