NF EN 60749-22 : 2003
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SEMICONDUCTOR DEVICES - MECHANICAL AND CLIMATIC TEST METHODS - PART 22: BOND STRENGTH
12-01-2013
AVANT-PROPOS
INTRODUCTION
1 Domaine d'application et objet
1.1 Description générale de l'essai
1.2 Description de l'appareillage d'essai (pour toutes les
méthodes)
2 Méthodes A et B (voir également l'annexe A)
2.1 Domaine d'application
2.2 Description générale de l'essai
3 Méthode C
3.1 Domaine d'application
3.2 Méthode C: Décollage de contact soudé
4 Méthode D
4.1 Domaine d'application
4.2 Méthode D: Essai du contact soudé au cisaillement
(applicable aux dispositifs à surépaisseurs ou "flip chip")
5 Méthodes E et F
5.1 Domaine d'application
5.2 Méthode E: Essai d'arrachement par poussée
5.3 Méthode F: Essai d'arrachement par traction
5.4 Critères de défauts pour les deux méthodes E et F
5.5 Force à appliquer (pour les deux méthodes)
6 Méthode G: Essai de cisaillement du point de soudure fil
("wire ball")
6.1 Domaine d'application
6.2 Description générale
6.3 Termes et définitions
6.4 Equipement et matériel
6.5 Procédure
6.6 Limites d'acceptabilité de l'essai
7 Renseignements que doit fournir la spécification particulière
Annexe A (normative) Guide
Applies to semiconductor devices (discrete devices and integrated circuits). Measures bond strength or determine compliance with specified bond strength requirements.
DevelopmentNote |
Indice de classement: C96-022-22. (12/2003) Supersedes NF EN 60749. (06/2007)
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DocumentType |
Standard
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PublisherName |
Association Francaise de Normalisation
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Status |
Current
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Standards | Relationship |
DIN EN 60749-22:2003-12 | Identical |
I.S. EN 60749-22:2003 | Identical |
EN 60749-22:2003 | Identical |
BS EN 60749-22:2003 | Identical |
UNE-EN 60749-22:2004 | Identical |
IEC 60749-22:2002 | Identical |
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