• NF EN 62132-4 : 2006

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    INTEGRATED CIRCUITS - MEASUREMENT OF ELECTROMAGNETIC IMMUNITY 150 KHZ TO 1 GHZ - PART 4: DIRECT RF POWER INJECTION METHOD

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    Published date:  13-01-2013

    Publisher:  Association Francaise de Normalisation

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    AVANT-PROPOS
    1 Domaine d'application
    2 Références normatives
    3 Termes et définitions
    4 Généralités
      4.1 Bases de mesure
    Figure 1 - Disposition d'un montage d'essai d'injection
               directe
      4.2 Injection directe de puissance à une seule broche
    Figure 2 - Illustration du principe de l'injection de
               puissance à une seule broche
    Tableau 1 - Paramètres de CI et de systèmes affectant
                l'immunité
      4.3 Injection de puissance directe à broches multiples
          dans des broches de systèmes de mode différentiel
    5 Conditions d'essai
    6 Matériel d'essai
      6.1 Généralités
    Figure 3 - Illustration du principe de l'injection de
               puissance à broches multiples
      6.2 Source de puissance RF
      6.3 Mesureur de puissance RF et coupleur directif
    7 Montage d'essai
      7.1 Généralités
      7.2 Montage d'injection de puissance
      7.3 Carte de circuit d'essai
    Figure 4 - Exemple de routage de l'accès d'injection à une
               broche du DEE
      7.4 Caractéristiques du montage d'injection de puissance
      7.5 Réseaux de découplage
    Figure 5 - Exemple d'un résultat de mesure d'amplitude
               S21 (première résonance supérieure à 1 GHz)
    8 Procédure d'essai
      8.1 Généralités
      8.2 Méthode d'essai spécifique
    9 Rapport d'essai
    Figure 6 - Logigramme d'une méthode d'essai
    Annexe A (informative) Exemple d'une spécification des
              niveaux d'immunité par exemple pour des
              applications dans le secteur automobile
    Tableau A.1 - Exemple de gammes de niveaux d'immunité
    Annexe B (informative) Conseils en vue de la meilleure
              installation d'un montage d'essai par rapport
              à la RF
    Figure B.1 - Installation d'un connecteur sur la carte
                  d'essai à proximité du DEE
    Figure B.2 - Au moyen d'une cage de Faraday en plaçant
                  le connecteur aussi près que possible du
                  DEE (une résistance série facultative peut
                  être ajoutée)
    Figure B.3 - Accès à un DEE à nombre élevé de broches par
                  une grande carte principale et une carte
                  spécifique CI connectées par des broches de
                  contact à ressort
    Figure B.4 - Découplage en courant continu d'une broche à
                  courant élevé
    Figure B.5 - Montage d'essai avec condensateur de blocage
                  obligatoire
    Figure B.6 - Exemple de disposition pour DEE avec
                  condensateur de blocage obligatoire
    Figure B.7 - Exemple de montage d'essai dont la charge
                  est sur le montage d'essai
    Figure B.8 - Exemple d'un réseau de découplage pour une
                  entrée à haute impédance
    Figure B.9 - Terminaison de broches à ne pas tester avec
                  une impédance typique pour reproduire les
                  courants de diaphonie
    Figure B.10 - Exemple d'injection de puissance dans deux
                  broches utilisant la terminaison recommandée
                  du bus CAN à grande vitesse
    Annexe C (informative) Explication du niveau d'essai de
              crête constant
    Annexe ZA (normative) Références normatives à d'autres
              publications internationales avec les
              publications européennes correspondantes
    Bibliographie

    Abstract - (Show below) - (Hide below)

    Specifies a method to measure the immunity of integrated circuits (IC) in the presence of conducted RF disturbances, e.g. resulting from radiated RF disturbances.

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    Development Note Indice de classement: C96-261-4 PR NF EN 62132-4 May 2004 (05/2004)
    Document Type Standard
    Publisher Association Francaise de Normalisation
    Status Current
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