NF EN 60749-23 : 2004 AMD 1 2012
Current
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SEMICONDUCTOR DEVICES - MECHANICAL AND CLIMATIC TEST METHODS - PART 23: HIGH TEMPERATURE OPERATING LIFE
12-01-2013
AVANT-PROPOS
1 Domaine d'application
2 Références normatives
3 Termes et définitions
4 Appareillage
4.1 Circuits
4.1.1 Schéma de dispositif
4.1.2 Puissance
4.2 Montage du dispositif
4.3 Alimentation et sources de signal
4.4 Enceinte environnementale
5 Procédure
5.1 Durée de contrainte
5.2 Conditions de contrainte
5.2.1 Température ambiante
5.2.2 Tension de fonctionnement
5.2.3 Configurations de polarisation
6 Refroidissement
7 Mesures
8 Critères de défaillance
9 Résumé
Annexe ZA (normative) Références normatives à d'autres
publications internationales avec
les publications européennes
correspondantes
Determines the effects of bias conditions and temperature on solid state devices over time.
| DevelopmentNote |
Indice de Classement: C96-022-23. PR NF EN 60749-23 March 2003. (03/2003)
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| DocumentType |
Standard
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| PublisherName |
Association Francaise de Normalisation
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| Status |
Current
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| Standards | Relationship |
| DIN EN 60749-23:2011-07 | Identical |
| EN 60749-23:2004/A1:2011 | Identical |
| I.S. EN 60749-23:2004 | Identical |
| BS EN 60749-23 : 2004 | Identical |
| UNE-EN 60749-23:2005 | Identical |
| IEC 60749-23:2004+AMD1:2011 CSV | Identical |
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