NF EN 60749-8 : 2003

AVANT-PROPOS
INTRODUCTION
1 Domaine d'application et objet
2 Références normatives
3 Définitions générales
   3.1 Unités de pression
   3.2 Taux de fuite normalisé
   3.3 Taux de fuite mesuré
   3.4 Taux de fuite normalisé équivalent
4 Essai de pression à la bombe
5 Détection des microfuites: méthode au krypton radioactif
   5.1 Objet
   5.2 Description générale
   5.3 Précautions concernant le personnel
   5.4 Procédure d'essai
   5.5 Conditions spécifiées
   5.6 Détection de fuites franches
6 Détection des microfuites: méthode d'essai au gaz traceur
   (hélium) au moyen d'un spectrographe de masse
   6.1 Généralités
   6.2 Méthode 1: composants non remplis d'hélium pendant la
       fabrication - Méthode fixe
   6.3 Méthode 2: composants non remplis d'hélium pendant la
       fabrication - Méthode flexible
   6.4 Méthode 3: composants remplis d'hélium pendant la
       fabrication
   6.5 Détection de fuites franches
7 Fuites franches, méthode de détection électronique des
   vapeurs de perfluorocarbone
   7.1 Objet
   7.2 Description générale
   7.3 Matériel d'essai
   7.4 Méthode d'essai
   7.5 Critère de rejet
8 Fuites franches - Méthode de détection de bulles de
   perfluorocarbone
9 Condition d'essai E, détection des fuites franches par
   augmentation de poids
   9.1 Objet
   9.2 Matériel
   9.3 Procédure
   9.4 Critères de défaillance
10 Détection des fuites franches par pénétration de colorant
11 Vérification de l'essai de fuites franches
Annexe ZA (normative) Références normatives à d'autres
                      publications internationales avec les
                      publications européennes correspondantes

Applies to semiconductor devices (discrete devices and integrated circuits). It determines the leak rate of semiconductor devices.